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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS139 E6906由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS139 E6906价格参考。InfineonBSS139 E6906封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3。您可以下载BSS139 E6906参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS139 E6906 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS139 E6906是由Infineon Technologies生产的单个N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这种MOSFET具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力,适用于多种应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 信号切换 BSS139 E6906常用于低电压和低电流的信号切换电路中。它可以在音频设备、传感器接口、数据通信等应用中实现对信号的精确控制。由于其低导通电阻(Rds(on)),在导通状态下几乎不会产生显著的电压降,从而减少了功耗。 2. 电源管理 该MOSFET广泛应用于各种电源管理电路中,如DC-DC转换器、线性稳压器、负载开关等。它能够高效地控制电流的通断,确保电源系统的稳定性和效率。此外,其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高整体能效。 3. 电池保护 在便携式电子设备中,BSS139 E6906可用于电池保护电路,防止过充、过放和短路等情况的发生。它能够迅速响应异常情况并切断电流路径,保护电池和相关电路免受损坏。 4. 电机驱动 对于小型直流电机或步进电机,BSS139 E6906可以作为驱动元件,通过PWM(脉宽调制)信号来控制电机的速度和方向。其低导通电阻有助于减少发热,延长电机的使用寿命。 5. 静电放电(ESD)保护 该MOSFET还可以用于ESD保护电路中,防止静电对敏感电子元件造成损害。它能够在短时间内承受较高的瞬态电压,并迅速将静电能量释放到地线,从而保护系统中的其他组件。 6. 逻辑电平转换 在不同电压域之间的逻辑电平转换中,BSS139 E6906可以用作缓冲器或电平移位器。它能够将较低电压的逻辑信号转换为较高电压的驱动信号,适用于需要跨电压域通信的应用场景。 总之,BSS139 E6906凭借其出色的性能和可靠性,在多个领域中得到了广泛应用,特别是在低功耗、小尺寸和高效率要求的电路设计中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 耗尽模式 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSS139+Rev1.62.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ef5d04acb |
产品图片 | |
产品型号 | BSS139 E6906 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | SIPMOS® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 56µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 76pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 欧姆 @ 0.1mA,10V |
供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
其它名称 | BSS139E6906XT |
功率-最大值 | 360mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100mA (Ta) |